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離子注入技術(shù)主要有以下幾方面的優(yōu)點：

（1）注入的離子是通過質(zhì)量分析器選取出來的，被選取的離子純度高，能量單一，從而保證了摻雜純度不受雜質(zhì)源純度的影響即摻雜純度高。

（2）注入劑量在1011一1017離子／cm2的較寬范圍內(nèi)，同一平面內(nèi)的雜質(zhì)均勻度可保證在±1％的精度。大面積均勻摻雜

（3）離子注入溫度低，襯底一般是保持在室溫或低于400℃。因此，像二氧化硅、氮化硅、光刻膠,鋁等都可以用來作為選擇摻雜的掩蔽膜。對器件制造中的自對準(zhǔn)掩蔽技術(shù)給予更大的靈活性，這是熱擴散方法根本做不到的。

（4）離子注入深度是隨離子能量的增加而增加。     可精確控制摻雜濃度和深度

（5）根據(jù)需要可從幾十種元素中挑選合適的N型或P型雜質(zhì)進行摻雜。能容易地?fù)饺攵喾N雜質(zhì)

（6）離子注入時的襯底溫度較低（小于600℃ ），這樣就可以避免高溫擴散所引起的熱缺陷。同時橫向效應(yīng)比熱擴散小得多。

（7）表面濃度不受固溶度限制，可做到淺結(jié)低濃度 或深結(jié)高濃度。

離子注入技術(shù)也以下3方面的缺點：

（1）會產(chǎn)生缺陷，甚至非晶化，必須經(jīng)高溫退火加以改進

（2）設(shè)備相對復(fù)雜、相對昂貴（尤其是超低能量離子注入機）

（3）有不安全因素，如高壓、有毒氣體

目前常用的解決方法有三種

（1）是將硅片相對注入的離子運動方向傾斜一個角度，7度左右最佳；

（2）是對硅片表面鋪上一層非結(jié)晶系的材料，使入射的注入離子在進入硅片襯底之前，在非結(jié)晶層里與無固定排列方式的非結(jié)晶系原子產(chǎn)生碰撞而散射，這樣可以減弱溝道效應(yīng)；（表面用SiO2層掩膜）

（3）是用Si, Ge, F, Ar等離子對硅片表面先進行一次離子注入，使表面預(yù)非晶化，形成非晶層 (Pre-amorphization) 然后進入離子注入。

  這三種方法都是利用增加注入離子與其他原子碰撞來降低溝道效應(yīng)